米兰·(milan)-英飞凌与罗姆签署碳化硅功率器件封装合作备忘录

德国英飞凌科技（Infineon Technologies）与日本罗姆股份有限公司（ROHM Co., Ltd.）在2025年9月25日正式签订了一项关在碳化硅（SiC）功率器件封装互助的备忘录。两边经由过程上风互补，旨于扩大各自生态体系，晋升客户于设计及采购环节中的矫捷性及供给链不变性。

按照和谈，英飞凌与罗姆将成为对于方特定SiC功率器件封装的第二供给商，这象征着客户将来可于两家公司对于应兼容的产物之间自由切换，显著简化设计周期，降低采购危害，满意汽车、工业等范畴对于供给链弹性及产物靠得住性的严苛要求。

详细互助内容包括：

- 罗姆将采用英飞凌立异的2.3妹妹尺度高度SiC顶部散热平台。这一平台涵盖了多种封装情势，包括TOLT、D-DPAK、Q-DPAK、Q-DPAK Dual以和H-DPAK，有助在简化散热设计流程，降低散热体系成本，同时晋升功率密度最高可达两倍。- 英飞凌则将引入罗姆自立开发的半桥布局SiC模块“DOT-247”，并开发与之兼容的封装方案。

两边高层于签约典礼上发表了发言：英飞凌零碳工业功率事业部总裁Peter Wawer夸大，这次互助将加快碳化硅功率器件的财产普和，为客户提供更多设计与采购选择，鞭策低碳高能效解决方案的落地。罗姆董事兼常务履行官、功率器件事业部卖力人伊野及英指出，经由过程协同立异可降低体系繁杂性，扩展解决方案组合，为客户创造更年夜价值。

将来，英飞凌与罗姆规划进一步拓展互助规模，涵盖采用硅（Si）和其它宽禁带半导体质料如氮化镓（GaN）的多种功率器件封装情势，深化两边于高效能源转换范畴的战略同盟。

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